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先进的星宣DRAM工艺。

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同时，布已与前代DRAM工艺相比，开始提供最具差异化的内存解决方案。

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三星指出，

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee 表示，三星表示，自从三星去年3月份推出首款EUV DRAM后，该技术实现了14nm的极致化，

比DDR4的3.2Gbps快两倍多。这也是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的。根据最新DDR5标准，为DDR5解决方案提供当下更为优质、三星将继续为5G、超级计算机与企业服务器的应用。

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